姓名：臧运祎
联系邮箱：zangyy@baqis.ac.cn
教育经历
2012-2017 清华大学，物理学专业，博士
2008-2012 山东大学，物理学专业，学士
工作经历
2023至今 合肥国家实验室双聘科研人员
2020至今 北京量子信息科学研究院副研究员
2017-2020 德国马克斯普朗克微结构物理研究所博士后
研究简介
在拓扑量子计算领域开展系统研究，主要从事拓扑超导材料的分子束外延生长（MBE）和输运研究，取得以下重要成果：
实验验证了更加优越的拓扑量子计算实现体系——PbTe-超导纳米线，为拓扑量子计算器件和线路的构建奠定了基础；实验发现新型伊辛超导体，为拓扑量子计算器件提供了一个可靠的超导材料。相关成果发表于Science、Nature Physics、PRL、Nano letters等期刊。
核心研究方向：
1.拓扑量子器件的分子束外延生长
2.马约拉纳零能模
3.量子输运
主要荣誉
2022 北京市“海外高层次人才”
2018 德国“洪堡学者”
代表性论文
1.Y. Zang, et al., Molecular beam epitaxy growth of few-layer stanene. Quatum frontiers, 1, 11 (2022).
2.C. Liu, et al., Ambi-chiral anomalous Hall effect in magnetically doped topological insulators. Sci. China-Phys. Mech. Astron. 65, 266812 (2022).
3.Y. Zang, et al., Competing Energy Scales in Topological Superconducting Heterostructures. Nano letters, 21, 2758-2765 (2021).
4.Y. Zang, et al., Realizing an Epitaxial Decorated Stanene with an Insulating Bandgap. Advanced Functional Materials, 28, 1802723 (2018)
6.M. Liao, et al., Superconductivity in few-layer stanene. Nature Physics, 14, 344-348 (2018).
7.C. Liu, et al., Dimensional Crossover-Induced Topological Hall Effect in a Magnetic Topological Insulator. Physical Review Letters, 119, 176809 (2017).
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